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La mémoire flash

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default La mémoire flash

Message  microbius2 le Dim 24 Fév - 23:58





Bon, assez lambiné. Maintenant qu’on a remis les pendules à l’heure, on peut continuer notre exploration de l’informatique.

Avec les premiers ordinateurs personnels on pouvait accumuler des fichiers de toutes sortes, les regrouper dans des dossiers d’images, de musique etc… sur le disque dur (disque magnétique) mais on ne pouvait pas les sortir de l’ordinateur. Si l’ordi flanchait, on perdait tout.
Il n’y avait pas de moyen efficace de transférer les données.
Il y avait bien les disquettes mais leur faible capacité (mémoire) offrait peu de marge de manœuvre.

Puis vinrent les CD-ROM.(disques optiques). Là on voyait une grosse différence.
On pouvait stocker beaucoup de données sur un seul CD, de la musique, des logiciels, des jeux.
Tout le monde voulait un lecteur de CD. Puis un graveur. Puis un lecteur/graveur etc…
Pourtant, assez tôt, le CD-ROM montra ses limites.
Le grand défaut des CD était qu’on ne pouvait plus les modifier une fois gravés.
Un fois gravés, plus question d’y changer un iota.

Mais voilà qu’arrive la clé USB.

On introduit le petit bidule dans le port USB et on peut arranger son contenu comme on veut.
On peut y revenir plus tard, ajouter , supprimer des données . S’en servir à l’infini. .

Comment est-ce possible ?

La Mémoire Flash.

Pas de cuvettes ou de bosses. Pas de tête d’écriture par induction magnétique.
Il s’agit maintenant de mémoires électroniques fondées sur un assemblage de transistors.

Mais on reste toujours avec le code binaire, les bits, 0 et 1.

Dans une mémoire flash, pour chaque bit il faut un transistor. Alors imaginez combien il faut de ces transistors dans le petit bidule pour stocker des Mo et des Mo de données. Exemple : pour 128 kilo-octets, il faudra 128x1024x8, soit 1,048,576 transistors pour le seul stockage des données. Chaque transistors est couplé avec un condensateur pour conserver l’état de magnétisme.

D'accord, on va arrêter là pour le moment. Pas facile à digérer tout ça. Assez incroyable! Comment on peut fabriquer des choses aussi petites, ça me dépasse.
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default Re: La mémoire flash

Message  microbius2 le Mar 6 Aoû - 14:05

Eh bien, plus petit ne semble pas avoir de limites.
1 nanomètre (nm) c'est quoi ? Un millimètre c'est déjà pas très long. Le millimètre divisé encore par mille, on obtient un micron. Si on divise le micron encore par mille on a le nanomètre.  Pas évident !
 
http://www.clubic.com/disque-dur-memoire/actualite-576616-samsung-3d-vertical-nand-flash-avenir-memoire.html
 
Samsung produit désormais des puces de mémoire flash en 3D. En multipliant les couches, il peut fabriquer à taille constante des puces offrant à la fois de plus grandes capacités et de meilleurs performances.

La division semi-conducteurs de Samsung a annoncé ce matin avoir démarré la production de masse des premières puces de flash NAND verticale du marché, ce qui constitue une petite révolution en matière de stockage.

Jusqu'à présent les progrès en matière de semi-conducteurs, que ce soit pour des processeurs ou pour de la mémoire, reposaient principalement sur la réduction des finesses de gravure : plus on fabrique finement, plus on concentre de transistors sur une surface donnée. Mais alors qu'ils approchent des 10 nm, les fabricants sont confrontés à des limitations physiques, telles que des fuites de courant qu'ils parviennent difficilement à maîtriser.

Superposer des couches pour gagner en capacité, en performances et en fiabilité

Les chercheurs se sont donc mis à travailler sur une autre solution. Jusqu'à maintenant les processeurs ou les mémoires étaient effectivement constitués de transistors ou de cellules répartis sur un seul plan, en deux dimensions. Mais Samsung Semi-conducteur est parvenu à les superposer, et donc à produire en trois dimensions. Le fabricant parle de 3D Vertical NAND Flash ou de V-NAND.

Pour ce faire il a amélioré son procédé de fabrication Charge Trap Flash (CTF). Celui-ci présente en plus l'intérêt d'être plus fiable que le traditionnel procédé Floating Gate MOSFET, tant lors de la production (taux de réussite plus élevé) que de l'utilisation (durée de vie supérieure). En pratique, Samsung revendique une fiabilité améliorée d'un facteur de deux à dix, ainsi qu'un taux de transfert en écriture multiplié par deux.

Dans un premier temps, Samsung produira des puces à deux couches de 1 Tb (soit 128 Go), mais son procédé lui permettra à terme d'empiler… 24 couches !
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